
메모리 반도체에서 DRAM은 삼전이 40프로 이상 하닉이 20~30프로 마이크론이 10~20프로 사실상 3개의 업체가 과점하는 시장임
2010년도 중반쯤만 하더라도 삼전이 타 경쟁사대비 기술력 1년가까이 앞서 있었음. 원가경쟁력에서도 압도적으로 앞서 있어 타경쟁사들은 영익율이 낮아 가까스로 연명하고 있는 상황
2010년 후반부로 서버용 DRAM반도체 수요가 급격히 높아지며 삼전을 제외한 하닉,마이크론 또한 꽤나 짭짤한 영업이익을 달성하였고 이 돈은 고스란히 알앤디 투자로 이어짐.
17년 삼성전자에 KKN이라는 부문장이 새로 부임함
KKN은 삼전의 최대 실적을 내는 것에 목숨을 걸었고 삼전의 꽃이였던 연구소 장비를 양산 장비로 돌려버리는 만행을 저지름. 훌륭한 연구소 인력도 양산 인력으로 돌려버림. 이로 인해 연구소 개발속도가 개박살남
19년경 KKN은 또 새로운 결정을 내리는데 당시 점유율 1프로 밖에 되지않던 HBM 사업을 철수함
DRAM이 10나노 공정으로 진입하면서 EUV장비가 필요해짐
하닉과 마이크론은 신중히 EUV를 도입한다는 입장이였고 1등이라는 타이틀을 놓칠 수 없는 삼전은 EUV장비를 선제 도입하기로 결정
DRAM 미세공정은 1z 1a 1b 1c로 이어지는데 삼전은 1z에 도입 하닉은 1a에 도입 마이크론은 1c 도입임. 10나노 초반인 1b까지는 euv없이 멀티패터닝 기술로 커버가 가능하다고 함
삼전은 1z에서는 포토레이어가 많지 않아 큰 문제가 없었지만 euv 포토레이어를 많이 사용하는 1a부터 수율과 품질 문제가 많이 발생하게됨
이와중에 삼전대비 euv 포토레이어 갯수가 적었던 경쟁사들은 1a 1b에서 삼전대비 기술속도가 더 빨라짐. 삼전이 다른 ...