SK hynix, CES 2025에서 16층 HBM3e 칩 공개…AI 메모리 시장 선도
HBM3e 및 HBM4로 차세대 메모리 혁신 주도
SK hynix가 CES 2025에서 16층 HBM3e 샘플을 공개하며 AI 데이터 처리 속도와 용량에서 새로운 기준을 제시한다. HBM3e는 48GB 용량과 16층 스택 구성으로 업계 최고 수준의 성능을 자랑하며, 고도화된 공정을 통해 칩 변형을 억제하고 열 성능을 극대화했다.
HBM4는 데이터 전송 채널을 기존보다 두 배 늘려 초고속 전송 속도와 대용량 처리를 가능하게 하며, 올해 하반기 양산을 ...