올해 6월 VLSI 2026 에서 HB3DM 가 발표될 예정.
SAIMEMORY ZAM/HB3DM (Intel + SoftBank) — HBM 첫 본격 경쟁자
이번 advance program에서 가장 임팩트 있는 신규 발표.
Intel과 SoftBank가 합작 법인 SAIMEMORY를 통해 차세대 3D 메모리 ZAM (Z-Angle Memory) — 또는 HB3DM (High-Bandwidth 3D Memory)을 들고 나옵니다. 단순 "HBM의 다른 버전"이 아니라, 아키텍처·자본·시장 진입 경로가 모두 새로운 메모리.
ZAM 핵심 스펙 한눈에
합작 법인
SAIMEMORY (Intel + SoftBank JV)
기술명ZAM (Z-Angle Memory) = HB3DM구조
9-layer 3D DRAM 적층 + Hybrid Bonding (TSV 미사용)
성능 목표 HBM3 대비 대역폭 2~3배
전력 ~50% 절감
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