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No ALD, No AI: ASM International에 투자하는 이유
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No ALD, No AI: ASM International에 투자하는 이유

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2026.05.19조회수 114회
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"투자의 질을 중시하며, 장기적 안목으로 시장을 바라봅니다. 비단 재테크뿐만 아니라 인생 전반에 걸쳐 복리의 힘을 믿고, 그 원칙을 실천에 옮기는 곳입니다. 여기서는 깊이 있는 분석과 지속 가능한 성장 전략을 공유하며, 함께 성장하는 지혜를 나눕니다."

역대 가장 복잡한 반도체의 핵심을 쥔 기업


요약

2026년 초, 우리는 ASM International을 포트폴리오에 편입했다. 반도체 미세화의 핵심이 리소그래피에서 원자 수준의 소재 정밀도로 이동하고 있으며, 그 중심에 ASM이 지배하는 ALD(원자층 증착) 기술이 있다는 thesis였다.


GAA 트랜지스터, 후면 전력 공급망(BSPD), 2nm급 이하 노드로의 전환은 웨이퍼 생산량이 아닌 공정 복잡성이 이끄는 다년간의 성장 사이클을 만들어내고 있다. AI는 HBM, 고급 패키징, 로직에 준하는 메모리 공정으로 ALD의 적용 영역을 확장하고 있다.


1Q26 실적은 thesis를 강하게 확인시켜 주었다. 가이던스 상단을 달성한 매출, 역대 최고 영업이익률 33.1%, 세 주요 로직 고객사 모두의 수요 가속화, 그리고 1.4nm 파일럿 매출이 2026년 하반기부터 이미 기여 중이다.


주가는 편입 이후 68% 상승했다. P/FCF 약 80배, EV/(FCF-SBC) 약 85배로 저렴하지 않다. 하지만 복잡성 확대라는 구조적 순풍은 다년간 지속되고, 경쟁 우위는 여전히 굳건하며, 병목 현상은 완화될 기미가 없다. 우리는 보유를 유지한다.


ASM은 구조적 전환의 한가운데 있다

ASM은 반도체 제조의 구조적 전환이 일어나는 정확한 지점에 위치해 있다. 리소그래피가 트랜지스터를 더 작은 크기로 밀어붙일수록, 소재 공학의 허용 오차는 좁아지고, 박막 두께·균일도·계면에 대한 원자 수준의 제어 필요성이 높아진다. 동시에 성능 향상은 점점 더 3차원 구조에 의존한다. 트랜지스터 수준에서는 GAA와 BSPD가, 다이 수준에서는 TSV·하이브리드 본딩·3D 집적이 그 역할을 한다.


두 흐름 모두—지속적인 면적 축소와 3D 확장—복잡한 고종횡비 구조에서 정밀하고 컨포멀한 증착을 요구한다. 로직뿐 아니라 DRAM·HBM·NAND 전반에 걸쳐서다. ALD와 선택적 에피택시가 첨단 반도체 제조의 기반 공정이 되는 이유이며, 이것이 ASM의 핵심 강점과 정확히 맞닿아 있다.


2nm 다음은 1.4nm

선단 로직은 이제 공정 집약도가 한 단계 도약하는 노드 사이클에 진입했다. 더 좁은 선폭은 박막 두께·균일도·계면에 대한 더 정교한 원자 수준 제어를 요구하기 때문이다. TSMC의 2nm(N2)는 4Q25에 양산에 들어갔고, 이에 따른 ALD 및 선택적 에피 집약도 상승이 2026년 내내 램프업되면서 ASM의 매출로 흘러들어오고 있다.


이 사이클은 산업 최초의 본격적인 GAA 양산 전환과도 맞물린다. 인텔의 18A는 GAA(RibbonFET)와 BSPD(PowerVia)를 함께 도입하는 첫 노드로, TSMC N2와 동일한 "2nm급" 범주로 분류된다.


더 중요한 것은 1.4nm 파일럿이 더 이상 2027년의 이야기가 아니라는 점이다. 1Q26 실적 컨퍼런스콜에서 경영진은 1.4nm 파일럿 라인 투자가 2026년 하반기부터 이미 의미 있는 매출을 기여하고 있다고 확인했다. 2nm에서 1.4nm로의 전환은 높은 부가가치를 창출한다. FEOL(Front-End-Of-Line)의 "성능 레이어"를 중심으로 ALD 레이어가 대폭 추가되고, 레이어당 처리량은 줄어든다(더 복잡한 구조 = 웨이퍼당 더 많은 장비 필요). 노드 전환마다 웨이퍼당 ALD 및 선택적 에피 공정 수가 늘어나며, 이는 전체 웨이퍼 생산량만큼이나 공정 집약도에 의해 결정되는 다년간의 성장 동력이다.


FinFET에서 GAA로: ALD 집약도가 높아지는 이유

FinFET에서 GAA 트랜지스터로의 전환은 성능 향상이 달성되는 방식에 있어 구조적 변화를 의미한다. 7nm에서 3nm로 이어진 이전 사이클이 갈수록 복잡하고 비싸지는 EUV 리소그래피 투자로 정의되었다면, 다음 단계는 트랜지스터 구조와 소재 공학에 의해 주도된다.


GAA 소자는 수직으로 적층된 나노시트를 게이트가 완전히 감싸는 구조로, 극도로 얇고 완벽하게 컨포멀한...

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SiTime: AI의 원활한 연동을 뒷받침하는 조용한 기반

회사 건물 내부에서는, 동기화가 수조 달러 규모의 AI 클러스터가 제대로 작동할지 아니면 가동을 멈출지를 결정하는 시대를 위한 완벽한 타이밍 스택을 구축하고 있습니다. 요약 정밀 타이밍은 범용 인프라에서 AI 시스템의 핵심 제약 요소로 진화했으며, SiTime은 컴퓨팅·네트워킹·인터커넥트의 복잡성이 비선형적으로 확대되는 가운데 클록 조율의 핵심 계층을 담당하고 있다. CED(통신·기업·데이터센터)는 명확한 단기 성장 동력이다. AI 시스템이 더 많은 클록 민감 도메인으로 세분화됨에 따라 GPU, NIC, 스위치, 광학 모듈, 첨단 패키지 전반에 걸쳐 MEMS 기반 타이밍 탑재가 확대되고 있다. 2026년 1분기 실적은 이 흐름을 강하게 뒷받침했는데, CED 매출이 전년 동기 대비 158% 급증하며 세 자릿수 성장을 8분기 연속 기록했다. 르네사스 타이밍 사업부 인수가 완료되면 SiTime은 레조네이터·오실레이터 분야의 선두 기업에서 완전한 풀스택 타이밍 플랫폼으로 도약한다. 클록 제너레이터, 지터 어테뉴에이터, 네트워크 동기화 장치, 분배 버퍼가 추가되면서 AI 수요가 폭발하는 바로 그 지점에서 시스템 조율 계층이 완성되는 셈이다. 모바일 타이밍은 진정한 구조적 변곡점을 맞이하고 있다. 애플 내재화 모뎀 플랫폼이 직접적인 동력이며, 퀄컴이 6G 및 위성 통신을 위해 RF 스택을 업그레이드하는 과정에서 MEMS 타이밍이 iOS와 Android 생태계 전반으로 확산되는 2차 파도도 예상된다. SiTime의 해자는 경기 순환적이 아닌 구조적 성격을 지닌다. 수십 년간 축적된 독점적 MEMS 공정, 레조네이터 물리학, 아날로그 설계, 시스템 수준 통합 역량에 뿌리를 두고 있으며, 석영 기반 경쟁사들은 이를 복제하지 못했다. 이제 레조네이터부터 시스템 조율까지 아우르는 완전한 타이밍 스택의 소유권이 더해지면서 해자는 한층 깊어졌다. 표면적 밸류에이션 배수는 극단적으로 높지만, 매출 성장은 세 자릿수 속도를 향해 가속 중이다. 이 주식의 밸류에이션은 투기적 과열이 아니라 구조적으로 확장되는 시장에서의 카테고리 지배력을 반영하고 있다. 정밀 타이밍은 시스템이 충분히 크고, 빠르고, 병렬화될 때까지는 조용히 배경에 머무는 기술이다. 이 시점이 되면 조율 자체가 병목이 된다. 현대 AI 인프라에서 "클록"은 단순히 시간을 재는 도구가 아니라 동기화를 의미한다. 일론 머스크는 대규모 AI 학습을 10만 명의 연주자로 이루어진 오케스트라를 지휘하는 것에 비유한 바 있다. 모든 연주자가 밀리초 단위로 정확히 시작하고, 멈추고, 박자를 맞춰야 한다는 것이다. AI 학습과 추론 워크로드도 마찬가지로 수천 개의 칩에 분산되어 병렬 운영되며, 매 단계마다 데이터가 정확한 순간에 도착해야 한다. 타이밍이 어긋나면 GPU는 대기하고, 네트워크는 멈추고, 값비싼 컴퓨팅 자원이 낭비된다. 기존 CPU 중심 워크로드는 주로 순차적이어서 작은 타이밍 오차를 흡수할 수 있지만, AI 시스템은 그렇지 않다. 이것이 정밀 타이밍이 범용 배관 기술에서 성능의 시스템 수준 핵심 요소로 이동한 맥락이며, SiTime이 AI 인프라 스택의 점점 더 중요한 계층을 담당하게 된 이유다. 이 회사의 중요성은 특정 제품 사이클 하나에서 비롯된 것이 아니라, AI 시스템이 구축되는 구조적 방식 — 더 크고, 더 빠르고, 더 분산되고, 동기화 오차에 훨씬 민감한 방향 — 에서 기인한다. SiTime의 최종 시장 노출과 성장 동력 AI와 모바일로 깊이 들어가기에 앞서, SiTime이 수요를 바라보는 방식을 중심으로 매출 모델을 정리하는 것이 유용하다. SiTime은 세 가지 최종 시장 버킷에 걸쳐 타이밍을 판매한다. CED(통신·기업·데이터센터): AI 클러스터 규모 확대와 네트워킹 복잡성 폭증에 따라 타이밍 탑재량이 늘어나는 단기 성장 엔진 모바일·IoT·소비자: 노출이 덜 드러나고 고객명 공개에 제약이 많지만, 스마트폰 타이밍 아키텍처가 석영에서 통합형 프로그래머블 타이밍으로 전환되면서 비중이 점점 커지는 두 번째 축 자동차·산업·방산: 가혹한 환경, 진동, 온도 변화, GPS 음영 지역 등에서 타이밍의 임무 및 안전 중요도가 높아지면서 추가적인 다각화와 내구성, 제품 파생 수요를 제공하는 영역 왜 석영 기반 타이밍은 AI 시스템에서 한계에 부딪히는가 수십 년간 전자 타이밍은 석영이 지배해 왔다. 석영은 비교적 정적이고, 저주파·저병렬성 환경에서는 잘 작동한다. 그러나 AI 데이터센터는 석영이 설계된 적 없는 방식으로 타이밍을 혹사시킨다. 대역폭이 증가할수록 지터 허용치는 좁아진다. 시스템이 확대될수록 진동, 열 구배, 전자기 간섭이 증가한다. 아키텍처가 칩렛·모듈·케이블·패브릭으로 세분화될수록 클록 도메인의 수가 배가된다. 석영은 이 환경에서 버티지 못한다. 물리적으로 크고, 기계적으로 취약하며, 안정화 속도가 느리고, 반도체 방식 통합에 적합하지 않다. 고밀도 AI 랙이 극한 전력으로 가동되는 환경, 즉 충격·진동·온도 변화가 극심한 바로 그 조건에서 성능이 저하된다. MEMS 기반 타이밍은 다른 방식으로 확장된다. MEMS 레조네이터는 더 작고, 질량이 낮으며, 내구성이 강하고, 반도체급 공정으로 제조된다. 이를 통해 성능을 보다 정밀하게 제어하고, 환경 안정성을 높이며, 타이밍을 패키징·배치하는 방식에서 훨씬 큰 유연성을 확보할 수 있다. AI 시스템이 빠르고 병렬화될수록 이러한 장점은 줄어드는 것이 아니라 오히려 복리로 쌓인다. 이것이 SiTime이 공략하는 구조적 전환이다. AI 데이터센터에서 타이밍 수요가 실제로 발생하는 곳 AI 데이터센터 랙 내에서 타이밍 수요는 네트워킹·인터커넥트 측에서 가장 가시적으로 확대되고 있지만, 컴퓨팅 복합체 자체도 타이밍 공급사에 중요한 방식으로 변화하고 있다. GPU와 CPU는 기본 클로킹 기능을 점차 온다이(on-die)로 통합하고 있어 칩당 레거시 개별 석영 타이밍 탑재량의 상한이 생길 수 있다. 이것이 타이밍의 중요성이 줄어든다는 의미는 아니다. 사용 가능한 타이밍의 기준이 높아진다는 뜻이다. 첨단 패키지는 새로운 제약을 도입한다. GPU와 CPU가 칩렛, HBM 스택, 2.5D/3D 통합으로 이동하면서 온다이 클록은 노이즈, 열 구배, 다이 간 간섭 증가에 직면한다. 석영 기반 타이밍은 이 환경에 적합하지 않다. 부피가 크고, 기계적으로 취약하며, 고온 실리콘 근처에 배치하기 어렵고, 촘촘한 패키지 수준 통합과 호환되지 않는다. 결과적으로 석영은 첨단 패키지 내에서 해결책이 아니라 제한 요인이 된다. MEMS 기반 타이밍은 다른 방식으로 확장된다. 현재 MEMS 타이밍은 여전히 주로 보드 수준에 머물며, 패키지 인접 또는 패키지 내 설계에서의 점유율은 약 10% 수준으로 아직 초기...
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