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지금 반도체를 보고 투자하면... 먼저 인적분할로, 홀딩스 주식 : 0.65 반도체 주식 : 0.35 로 찢기니까, 일단 10~11월에 한번 분석해보고, 판단해야겠다. ( 이 기업은 미세화 증착 공정 ALD를 보기위함 ) 두번째 물적분할로, 물적분할된 신설회사, 주성룩스( 태양광, 디스플레이) 물적분할이면 나중에 분리상장될때, 난 홀딩스 껍데기 회사만 갖고있을 테니.. 지금 투자는 멈춰본다. (일단 5년간 분할 상장안한다고 말함) 추후에 찢기고나면, 미래가 별로안좋은 디스플레이, 태양광은 주성엔지니어링(반도체)에서 사라지니까 오히려 벨류업 받기 편할지도

반도체 기술은 매우 복잡하고, 이 기술을 중간정도 안다고해도, 어디선가 새로운 기술들이 나와서 특정 기술들을 대체할 수 있는 산업을 인지하고있다. 그렇기 때문에, 기술적으로 알아야하는 범위는, "왜 이 회사의 기술력이 좋은지"까지만 알아도 충분하다고 생각된다. HSPS는 반도체 공정중 어디? HPSP는 전공정 중, 확산 이후에 나타나는 문제를 고쳐주는 '어닐링 (Annealing)' or '포밍가스 어닐링' 이라는 것을 하는 회사이다. HPSP는 전공정 중, 이온주입 이후에 나타나는 문제를 고쳐주는 '저온 고압 수소 어닐링 (Annealing)' 이라는 것을 하는 회사이다. 이렇게 2개로 구분해서 적어 놓은 이유는, 영상, 블로그마다 좀 다르게 되어있어서이다. 예전 방식 : 트렌지스터 Gate에 Poly-SI을 사용할때 '확산' 공정이 쓰였고, 확산 공정에서 생기는 문제를 고치기위해 '어닐링(수소 포밍 가스)'이 쓰였다. 현재 방식 : 트렌지스터 Gate가 Metal로 바뀌면서, '이온주입' 공정이 쓰였고, '이온주입' 이후 생기는 문제를 해결하기위해 '어닐링 (수소 포밍가스)'이 쓰이다가, 16나노 이하로 점점 미세화가 진행되면서, '어닐링' 대신 '저온 고압 수소 어닐링'이 쓰였다. 내가 이해를 했는지.. 스스로에게 간단하게 말해보자면, 공정에 집착하면안된다.. 각 소재끼리 전류가 흐르지 않도록 막는 역활 + 식각공정에서 식각될 부분 masking하는 것 + 이온주입공정에서 이온 주입할 부분만 Masking하는 것. 즉 서로 간섭되지않도록 Insulator(절연체, 산화막)을 만들기위한 공정이 2개가있다. 산화 공정 (열적 산화) : 건식, 습식이있고, 어쨋든 고온에서 산소와 결합시켜서 방어막 생성 증착 공정 (CVD & ALD) : 쌓는 방식. 그림. 산화막 형성 방법 결국 2개로 크게 나눠봐야겠다. 상황에 따라 증착, 산화를 번갈아가면서 쓰게된다. 밑 그림에서 보이는 것처럼, 대부분은 산화공정을 사용하지만, Gate쪽을 만들때는 HKMG를 사용한다. 그림. 산화막 vs HKMG (링크) 기존 Gate를 만들때는 SI(실리콘)위에 산화공정으로 '산화막'을 형성하면, SI에 Dangling Bond가 생기고, 이를 없애주기위해, '포밍가스 어닐링'을 했었다. 하지만, Gate 길이 + 산화막 두께를 줄이게되면서, 산화막을 뚫고 전자가 지나가는 Short-Channel Effect현상이 생기면서, 산화막은 더 이상 절연체 역활을 못하게되었고, 절연체 물질을 새롭게 찾아나섰다. 새롭게 찾은 물질들이 바로 High-K이다. High-K는 SI를 산화해서 얻는 것이 아니라 직접 SI위에 얹어야된다. 그러므로 더 이상 산화공정이아닌, 증착공정으로 High-K를 SI(실리콘)위에 증착시키게되었고, 이로인해 Gate도 Metal로 바뀌게되었다. 이 상태에서 이온주입을 하니까 Short-Channel-Effect현상은 고쳐졌는데, Dangling Bond현상이 100배 많아져서 이것을 어떻게 고칠까? 하고 평소대로 고온에서 어닐링을했더니, 메탈이 녹는 현상이 나왔다. 그래서 이것을 고치기위해 나온게, '저온 고압 수소 어닐링' %중요% 산화공정을 쓰지 않는 ...

반도체 공정중 리노공업은 어디? 리노 공업이 사업하는 "반도체 테스트"까지 오는 순서는 이렇게 진행된다. (하이라이트 부분이 리노공업 사업) '전공정'에서 웨이퍼상태에서 반도체가 만들어진다. '후공정'으로 넘어와, "웨이퍼 상태 그대로 검사 해서 불량을 미리 판별한다." *EDS 공정이라 부른다 미리 판별해야, 패키징할때 쓸데없는 자원을 낭비 X 웨이퍼에서 양품만 선별하여 단일 패키지 형태로 만든다. 만들어진 반도체 패키지를 "소켓에 넣어서 단일 패키지된 반도체 상태에서 검사한다" 위에서 검사 했어도, 패키지 후에 이상이 있을 수 있어, 최종으로 검사를 한번 더 하는 것. 2023년도 연간 매출기준으로 "반도체(메모리 및 비메모리) 테스트 PACKAGE용 장비"의 소모성 부품인 테스트소켓 (IC TEST SOCKET) 류는 전체 매출대비 61.71% (1,577억원 : 해외수출 1,411억원, 국내 166억원) 반도체나 인쇄회로기판의 전기적 불량여부를 체크하는 소모성 부품인 리노핀 (LEENO PIN) 류는 전체 매출대비 27.54%(704억원 : 해외수출 501억원, 국내 203억원)를 차지. 리노공업을 볼때, 제일 중요한것이 1번 "테스트 소켓"의 전망, 2번 "리노 핀"의 전망, 3번 " 의료기기 부품류" 하지만 '테스트 소켓'은 '리노 핀'이 여러개 꼽힌것으로, 핵심은 리노 핀이다. (리노 핀이 잘 되야 소켓도 만들 수 있으니..) 하지만 테스트 소켓에서 영업이익이 더 높게 나오는 것은 리노핀 여러개를 한개의 소켓으로 넣었기 때문에 마진이 좀 더 높게나옴. 리노핀은 다른 회사에서 소모품으로 사용하기 때문에 따로 판매도함 (밑에서 더 자세한 설명) 더 가기전에 용어를 조금 통일하면 좋겠다. 포고핀 == 리노핀이다. (포고라는 단어자체가 '스카치테이프'처럼 탄생한 것이라, 리노도 브랜드를위해 '포고 핀' 단어보다 리노 핀이라고 정식으로 명칭한 것. 여러 블로그에서 서로 다르게 단어를 쓰고있어 통일했다. [ 테스트 소켓 (IC Test Socket) + 프로브 카드] 테스트 소켓이 어디에 어떻게 쓰이는지 그림으로 알아봐야겠다. 리노의 IC Test Socket류에는 종류가 AP, CPU, 서버용 CPU, RF, 등등이 있지만, 대표적인 Product사진만 보자 그림. CPU, AP 반도체 패키지 테스트 소켓 밑의 그림과 같이, 인터페이스 보드 위에 "여러 소켓이 장착" -> 소켓에 패키지된 개별 반도체가 장착된다. 그림. 인터페이스 보드에 장착되는 소켓 위에 장착되는 패키지된 반도체. [ 리노핀 (프로브) or 포고핀 ] 반도체 전공정에서 웨이퍼 레벨에서 반도체가 완성되고, 후공정으로 넘어와서 반도체가 단일 칩으로 쪼개지기전에, 웨이퍼 단계에서 불량을 판별하는 EDS 공정이 있다. EDS공정에서 웨이퍼 단계의 반도체를 검사할 때 사용하는 소모품 중 하나가 "프로브 카드"이다. 프로브카드 관련 간단한 영상 포고핀 작동 방식 영상 프로브 카드에 수많은 탐침(핀)들이 꼽혀서 사용되는데, 해당 핀은 위에서 말한 리노 핀을 사용한다. (다른 회사 것을 사용할 수도있겠지만, 여기선 리노 얘기를 하고있으니...) 위의 영상에서는 한 개의 프로브카드당 2만~8만개의 리노 핀이 꼽힌다고한다. 리노핀은 위에서 설명 테스트 소켓에 꼽혀 주로 사용되다보니, 다른 회사들이 테스트 소모품만들 때 사용되는 소모품 위의 정보로 리노 공업을 보자면 리노 공업의 핵심은 '리노 핀, 테스트 소켓'이다. '리노 핀, 테스트 소켓'은 웨이퍼 테스트에 쓰이는 프로브카드에 들어가고, 파이널 테스트에 쓰인다. (패키지된 반도체 칩 마지막 검사할 때 사용하는 IC Test Socket (소켓)에 쓰인다) 위 내용만 봐도 모든 반도체 AP, CPU, Dram, Nand, RF 등 모든 반도체 테스트에 들어갈 것 같다. 하지만, 아니다. 조금 만 더 보자 사업 전반 위의 제품 내용만 보면, 이거.. 경쟁력이 있는건가? 등등 여러 의문이 들 수있다. 요러한 의문을 하나하나 없애는것이 사업모델을 이해하는데 도움이 될것 같다. 리노 공업제품만 봤는데, 반도체 테스트시에 비슷한 제품이 있을까? 있다 ISC의 '실리콘 러버형 타입의 소켓'이다. [ 포고형(리노핀) vs 실리콘 러버형 ] 테스트 소켓으로는 크게 '테스트 소켓(리노 핀) 타입'과 '실리콘 러버 타입' 2개로 나뉜다. 실리콘 러버 타입 소켓 ...