자기 전에 흐름의 의식 따라 요즘 본 것들 중 일부를 기록해본다.
DRAM, NAND 쇼티지가 발생한 여러 이유가 있지만, 주된 이유 중 하나는 HBM 이다.
DRAM 자체로 이미 수율이 100% 이 아닌데 DRAM 을 쌓아 HBM 만드는 과정에서 또 한번 수율 손실이 생기고,
그렇게 만들어진 HBM 은 비트당 효용이 훨씬 더 커지며, 비싸게 팔 수 있기 때문에 계속해서 DRAM > HBM 전환이 이뤄지고 있다.
지금 HBM3E < DRAM 가격이 된 건 계약 시점 차이와 최근 몇 분기 DRAM 가격 급등으로 인한 착시효과일 뿐, 지금 논의 중인 2027 물량 계약을 통해 HBM > DRAM 이 된다.
NAND 는 에이전트가 활발히 사용되며 그 자체 수요가 늘어나기도 했지만, DRAM, HBM 의 대체제로도 주목받고 있기도 하다. 수요가 이렇게 증가하면 공급이 급증해야 하는데 NAND, DRAM 둘 다 하는 회사 (예: 삼성전자) 는 오히려 NAND 라인을 없애고 DRAM 으로 전환하기까지 했다. 둘 다 만드는 입장에선 이래저래 DRAM 만드는 게 더 낫기 때문이다.
잡설이 길었는데, 오늘 쓰려던 얘기는 메모리 파운드리의 시대가 ...
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