고등학교 때 반도체라는 걸 배우면, npn 접합, pnp 접합 이런 그림들이 나왔음.
이런구조를 BJT라고 부르고, 트랜지스터의 일종인 셈임.
트랜지스터는 전류의 흐름을 바꿔주는 소자인데, 스위치라고 보면 됨.
즉, 트랜지스터를 통해서 0과 1을 구분하며, 이게 논리구조를 만들어냄.
결국 반도체 섹터의 기술은 트랜지스터의 구조 변환을 짚어야되는 것임.
MOSFET은 1959년 벨 연구소의 강대원 박사와 모하메드 아탈라(Mohamed Atalla)가 발명함.
정확히 말하면 1920년에 개발되고 이들이 그때의 한계를 극복하면서 상용화가 됨.
왜 BJT에서 MOSFET으로 넘어갔냐, 바로 전력 때문임.
연산이 늘어나면서 전력이 많이 발생했고 BJT로는 극복하지 못했음.
현재 트랜지스터 소자는 MOSFET을 기반으로 하기 때문에 해당 구조를 이해하면 다른 구조들도 이해하기 쉬워짐.
MOSFET에서 FET은 Field Effect Transitor임. 전계를 이용한 트랜지스터라는 뜻.
전계는 대략 전압으로 이해하면 되고, 트랜지스터는 아까 말했다시피 0과 1을 스위칭하는 소자임.
다시 말하면 FET이라는 말 자체가 "전압을 통해서 스위칭을 하는 소자"라는 뜻을 말함
MOS는 Metal, Oxide, Semiconductor를 말함.
금속, 산화물, 반도체가 순서대로 있는 구조임.
여기서 우리가 고등학교 때 배운 불순물 주입을 기판에 해주면 아래와 같은 구조가 됨.
(위의 경우는 기판이 p형 반도체인 경우를 가져왔음. 불순물에 따라서 n형이될 수도 있음. 중요하진 않음)
굉장히 구조가 복잡하지만 중요한 것은
Gate
