CPO에 관하여 Pt.5 | OCS · 테스트 · 광학 밸류체인
s4ndwalker
2026.05.09조회수 157회
s4ndwalker
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내러티브와 데이터로 투자/트레이드 전략을 구현합니다.
CPO와 교차하는 또 다른 광학 trend인 OCS, CPO 시대에 critical-path bottleneck이 되는 testing, 그리고 wafer → laser → PIC → transceiver로 이어지는 광학 밸류체인 전반.
CPO와 직교하면서 동시에 진행 중인 또 하나의 광학 trend가 OCS다.
광 신호를 전기 신호로 변환하지 않고 거울로 조향해 직접 전송하는 방식으로, 기존 광통신의 광 → 전기 → 광 변환 단계를 한 번 없앤다.
두 지점 사이의 트래픽을 여러 계층의 패킷 스위치를 통과시키지 않고, 직접적인 광 경로를 만들어준다.
전기 ↔ 광 변환 횟수가 줄면 power와 latency가 크게 낮아지고, switching overhead가 감소하며 fabric 구성이 더 유연해진다.
단, OCS는 패킷을 직접 스위칭하지 않는다 — 트래픽 자체를 처리한다기보다 트래픽이 이동하는 경로를 바꾸는 새로운 networking layer에 가깝다. 따라서 기존 패킷 스위치를 대체하지 않고, 그 위 layer로 추가된다.
Lumentum은 OFC 2026에서 “new multi-year, multi-billion-dollar OCS agreement”를 체결했다고 밝혔다. FY25 매출이 $2.1B였던 점을 감안하면, OCS만으로 한 해 매출 규모만큼의 신규 매출원이 추가되는 수준.
1Q26 시점 update에서 Lumentum은 CY27 OCS ARR $1B+ 전망을 제시했고, 추가적으로 OCS demand는 CY25–CY28까지 CAGR >150%가 예상된다 (Google TPU를 제외한 scale-out only 시나리오 기준).
현재 3곳의 하이퍼스케일러가 Lumentum OCS를 채택 중이며, 이 중 두 곳이 volume의 majority를 차지한다.
공급 측면에서는 그동안 100% in-house 생산 구조였으나, 수요 폭증에 대응하기 위해 contract manufacturer를 통한 scaling으로 전환 중임을 2026년 1분기 실적 발표에서 밝혔다 — 공통 부품 생산량 증대를 통한 efficiency 개선으로 매출과 마진을 동시에 끌어올릴 수 있는 구조.
신규 데이터센터의 Spine 스위치 대체, TPU 인터커넥트, 랙 내부의 Scale-up 애플리케이션 등으로 확장될 잠재력이 있다.
일부 use case에서는 기존 구리 기반 스위치를 대체할 수 있다.
OCS의 거울은 한 번 깔면 트랜시버만 바꿔가며 계속 쓸 수 있다 — 800G를 꽂으면 800G 스위치, 1.6T를 꽂으면 1.6T 스위치가 된다.
따라서 OCS 도입은 트랜시버 대체가 아니라 연결지점 추가인 셈.
트랜시버 성능에 더 예민한 application이라, top-tier 광트랜시버 vendor에게 유리한 흐름이다.
OCS는 CPO와 경쟁하는 기술이 아니라 CPO와 직교하는 또 다른 광학 trend다.
CPO가 device-level에서 전기 경로를 줄인다면, OCS는 fabric-level에서 광-전기 변환 횟수를 줄인다.
두 흐름 모두 long-term transceiver demand를 끌어올리는 방향으로 작용하며, hyperscaler가 동시에 추진하는 두 축이다.
Pluggables → LPO → NPO → CPO로 광학이 칩에 가까워질수록, optical engine이 실패할 때의 비용이 점점 더 커진다 — 모듈 교체가 아닌 “패키지 단위 폐기”가 default failure mode가 되기 때문.
CPO 시대에는 testing이 단순 backend QA가 아니라 CPO adoption의 critical-path enabler가 된다.
광학 칩은 다음의 chain을 거쳐 만들어진다:
Wafer → Die → Package → Module / Engine → System
Pluggables 시대에는 불량이 발생해도 해당 모듈만 교체하면 됐다.
CPO에서는 광 엔진에 문제가 생기면 전체 패키지 단위를 폐기하거나 재작업해야 할 수 있다.
따라서 검사는 더 이른 wafer / die 단계로 이동해야 하며, 검증 범위도 훨씬 넓어진다 — 단순 동작 여부만이 아니라 optical alignment, electrical characterization, thermal behavior까지.
SiPh 칩 테스트는 다음의 네 단계로 구성된다.
Wafer-level PIC screening — 웨이퍼 위 PIC 단위 광학 특성 검증
EIC + PIC integration verification — 두 die 결합 후 통합 검증
독립 모듈 형태의 광 엔진 테스트 — 광 엔진 단위 검증
CPO 상태에서의 시스템 테스트 — SoC / ASIC과 통합된 후 시스템 단위 검증
광학 테스트 장비 수요는 광학 lifecycle의 세 단계 모두에서 동시에 발생한다.
CPO / OCS...
